新闻中心
行业新闻>

当前位置: 网站首页   > 行业新闻   

基于交流采样的智能电网电压智能监测系统的设

  影响电网系统调节和自动化管理。为实时监控电网电压,采用由微处理器控制的数字式测量仪表。在数字式测量初期,电网电压测量大多采用整流后的直流量,但其测量精度直接受整流影响;整流电路参数调整困难,受波形因素影响较大;而交流采样是按照一定规律采集被测信号的瞬时值,再用一定的数值计算法求得被测量的值。交流采样取决于测量精度和测量速度。这里介绍一种基于交流采样的电网电压智能监测硬件和软件设计,可直观准确地反映电力系统的电能质量。

  系统硬件电路由3部分组成:数据采集单片机系统和接口,硬件框图如图1所示。

  被测三相电压分别加到取样电路的输入端,信号按比例变换后,再经阻抗匹配网络,由16选1多路模拟开关,采样保持电路加到A/D转换的输入端。A/D转换后的数据经锁存后输入MCU,再由运算判断被测电压是否合格。同时,可将测量结果计入存储器件。MCU通过对时钟的操作,可实时将时间及测量结果显示在VFD上,通过键盘调整时钟。因系统中有存储器件,可将历史数据调出,在VFD显示。可将测量仪通过PC机接口与微机连接,在微机上集中操作、监控仪表。

  采用轮询方式设计,选用模拟多路开关器件CD4067B,分别选通3路被测电压,通过同一测量电路分别测量3路。CD40-67B的输入阻抗为50 Ω,其输入端必须加匹配网络。该器件输入VP-P最大值为20 V,最大延迟时间60 ns.采样保持电路采用LF398,该器件输入VP-P最大值36V,满足测量需求。A/D转换器采用AD574A,该器件输入电压为+10 V,采样位数为12位。采样数据选用带符号的二进制表示,最高位为符号位,后11位为数据位,采样速度达35μs.AD574A可调节参考电压,提高测量精度。经A/D转换后的数据经74LS374锁存后输入MCU进行计算。MCU选用AT89C51,内带4KB片内ROM,时钟选用11.0592 MHz,可满足计算需求。

  时间参数采用HI1380串行时钟记录,该器件是带有秒、分、时、月、年的串行时钟保持器件,通过MCU操作该器件,可正确获取时间参数,用来统计电压信息。电压的统计信息保存在存储器件内,方便调阅历史信息。仪表使用24C64器件保存信息,该器件通过I2C总线 KB,可满足记录两个月历史信息的需求。

  显示部分使用16T202DAJ型VFD模块,该模块可用于字符操作,适合于仪表显示。数据线位操作方式,通过MCU控制显示时间、电压信息及历史信息。通过3个按键对MCU操作,可完成修改时间、调用历史信息等操作。

  接口使用SP490器件构建,该器件为全双工的RS-485电平收发器,通过与MCU的串口连接,可被PC机操作,从而实现仪表的远程操作、集中监控等功能。

  按信号流程布局,信号由机箱后面板输入,经过电压采样、模拟开关、采样保持和A/D转换后将输入的模拟信号变为数字信号。图2中的虚线部分是模拟电路。

  A/D转换后的数字信号输入MCU处理,MCU控制时钟、存储器件、显示模块操作和接口电路部分为纯

  。仪表与PC机接口在机箱后面板,而显示及键盘操作在机箱前面板。要特别注意对电源的处理,数字电路的电源会干扰模拟电路,从而使测量误差增大。模拟电源均增加了

  电容滤波,信号地和电源地分开,连接时用电感滤波。通过PCB板的合理布局及电源电路的特别处理,可降低电源和信号干扰,减少测量误差。3 系统软件设计

  由离散化公式可知,根据一个周期内不同时刻的电压采样值及采样点数可计算出电压的有效值。根据周期T,选择适当的采样次数N,以确定采样时间间隔。由于AT89C51的主频为11.059 2.MHz和AD574的转换速度为35μs,并考虑到电力参数精度要求,采样周期定为312.5μs,即每个周期内采样64点。另外,阻抗匹配网络的输入电压与输出电压比为2/根号2。

  、功率等电网参数,所有结果可在VFD上显示。该系统具有结构简单、成本低廉等优点。在数据处理、转换等方面,具有实时性好、系统抗干扰能力强、可扩展性好等特点,易于在类似的丁业以及民用的测控系统推广使用。

  我们将《嵌入式工程师-系列课程》分成两大阶段:第一阶段:《计算机体系结构》课程 分成4篇:分别是

  避雷针能有效地将雷电流引向自身而安全入地,是保护直击雷的有效措施。变电所及电气设备一般采用避雷针进行....

  本文档的主要内容详细介绍的是嵌入式硬件系统教程之嵌入式的存储技术详细资料说明包括了:概述,存储器的性....

  本文档的主要内容详细介绍的是嵌入式硬件系统教程之处理器的详细资料说明包括了:1.处理器结构体系,2.....

  嵌入式产品的生产商总是期待能使自己的产品成本更低、更快地走向市场的微处理器解决方案。高性价比、高集成度、高度灵活的微处理...

  Brett Novak 营销经理 德州仪器 (TI) 简介 现在,越来越多的设计师开始转向电子微控制器,以在电机控制和数字电源系统...

  作者:Reuben George 当今,物联网(IoT)已对所有行业产生了影响,而且有望到2020年成为一个1.7万亿美元的市场。IoT领域...

  广东省电子技术研究所 陈丽珍 林小薇 要选好一款处理器,要考虑的因素很多,不单单是纯粹的硬件接口,还需要考虑相关的操作系...

  无线应用转向LTE、WiMAX和HSPA/HSPA+等宽带应用,以及最新无线标准要求的多载波技术对基站芯片带来性能、成本和功...

  本文档的主要内容详细介绍的是数字电子技术基础 第四版教师手册免费下载。全书主要内容有:数制和码制、逻....

  作者:刘旻 引言 在日益信息化的社会中,计算机和网络已经全面渗透到日常生活中。对于个人,需要的不仅仅...

  作者:Vijay Ramakrishnan, Cypress 减少停机时间的能力是管理工业设施的重要因素。目前,预测停机时间难度较大且成本非常昂...

  引言 动作识别是一个很热门的话题。苹果公司继推出具有轰动效应的多点触控技术后又筹备申请自己的动作识别专利。动作的识别简...

  亲爱的大家, 我在我的一款产品中使用的是M24LR NFC内存。 现在我想在外部情况下指出具有NFC标志的NFC存储器...

  在电网中,各断路器和保护装置都是安装在被保护线路靠近电源的一侧。当线路发生故障时启动都是在短路功率从....

  光电鼠标(亦称“光学鼠标”)通过发光二极管和光电二极管来检测鼠标对于一个表面的相对运动,它不像机械鼠....

  OCM接口具有与缓存同样的访问时间。由于缓存为来自其它存储器资源的缓冲代码而保留,因此OCM减小了缓存的更新频率。双口块...

  本书基于Keil μV ision程序设计平台和Proteus硬件仿线....

  运算器:用于实现算术和逻辑运算。计算机的运算和处理都在这里进行; 控制器:是计算机的控制指挥部....

  SEMI发布的最新预测显示,除中国台湾地区和美国外,全部地区均预计同比下滑。

  前段时间,「华为之劫」不仅引起了国内科技圈的恐慌,更是给国内一众专家和学者敲响了一记警钟,其中以开源....

  Flash存储器,简称Flash,它结合了ROM和RAM的长处,不仅具备电子可擦除可编程的性能,还不....

  UltraRAM 原语(也称为 URAM)可在 Xilinx UltraScale +™ 架构中使用....

  Cypress公司的PSoC®5系列具有独特的可配置模块阵列,是真正的系统级解决方案,能够通过单个芯....

  三星去年11月发布了Exynos9系列处理器新品Exynos9820,这是三星首款集成NPU的手机S....

  美商应材公司(Applied Materials)因应物联网(IoT)和云端运算所需的新存储器技术,....

  日本管制关键原材料输出韩国,引发韩系存储器大厂产线供应不足的疑虑,市场价格喊涨绘声绘影。

  本文档的主要内容详细介绍的是意法半导体STM32系列微处理器和微控制器选型手册免费下载。

  80x86指令系统 80x86的指令系统可以分为以下6组:数据传送类指令 算术指令 逻辑指令 串处理....

  简述X86处理器完成实时数字信号处理的优缺点。 答:利用X86处理器完成实时数字信号处理。特点是处....

  STM32F205xx和STM32F207xx 32位单片机的数据手册免费下载

  近日,长沙晚报从中国电子科技集团公司第48研究所获悉,在湖南省第二届集成电路产业发展高峰论坛上,电科....

  华天科技透露,华天南京的南京集成电路先进封测产业基地项目,主要进行厂房和动力配套等基础设施建设,以及....

  空调器微电脑控制系统是空调器的神经中枢,一旦出现故障,整台空调器将处于瘫痪状态,造成不制冷或制冷效果....

  在空闲方式中,CPU停止工作,而RAM、定时器/计数器、串行口和中断系统都继续工作。此时的电流可降到....

  随着时间的推移,传感器已经从简单的模拟和机械结构演变为芯片化的数字器件,可以连接到某个机器来监测它的....

  VK1S68C是1/5到1/8占空比的LED显示控制驱动电路。由10根段输出、4根栅输出、3根段/栅....

  51单片机是EPROM,所谓的EPROM是可擦除的只读存储器。可以把原来的程序擦除了,再写一个新的进....

  存储、网络、计算是ICT技术的三大支柱,存储器是名副其实的电子行业“原材料”。2018海关数据显示,....

  全球第二大储存型快闪存储器(NAND Flash)制造商东芝半导体日前旗下五座工厂日前因地震停电,导....

  自从第一台需要人们用线缆和交换机向其传达指令的电子计算机问世以来,编程已发生了巨大改变。计算机科技的....

  C8051F120和C8051F130系列混合信号ISP FLASH微控制器的数据手册

  C8051F12x 和 C8051F13x 系列器件是完全集成的混合信号片上系统型 MCU 芯片,具....

  在电力行业,它可以隔空巡查电网;在警界,它是警方行动的“侦察兵”——如今,无人机因为方便高效正被....

  目前我们正处于数据爆炸增长的时代,像硬盘、内存芯片等数据存储容器已经出现“负荷过重”的迹象。现今看来....

  单个节点的4K随机写入性能提高了27倍(每个节点每秒输入/输出操作3,673次(IOPS)至每个节点....

  随着国家能源战略发展的革命,传统的电网向智能电网转型已成为必然趋势。发展安全、可靠、绿色、安全的智能....

  芯闻3分钟1.华为主动出手!向印度政府提议签无后门协议2.采取迂回方式!英特尔、美光重新供应半导....

  日本突然宣布,将对用于智能手机及电视机的半导体等制造过程中需要的3种材料加强面向韩国的出口管制,理由....

  本书以PC486为主要背景,对32位微型计算机的系统结构、指令系统、汇编语言、存储器、中断与中断控制....

  锂电池的保护功能通常由保护电路板和PTC等电流器件协同完成,保护板是由电子电路组成,在-40℃至+8....

  本文档的主要内容详细介绍的是单片机原理及其接口技术的详细资料说明包括了:1.微型计算机基础。,2.5....

  MM54HC138和MM74HC138的3到8线解码器数据手册免费下载

  该译码器采用先进的硅栅CMOS技术,非常适合于存储器地址译码或数据路由应用。该电路具有高噪声抗扰性和....

  能源物联网是物联网向能源生产、分配和消费过程的延伸。将所有可能的能源设备连接起来,相互作用,以实现可....

  电流互感器是一种电流变换装置。它将高压和低压大电流变成电压较低的小电流供给仪表和继电保护装置并将仪表....

  全面放开经营性电力用户发用电计划,支持中小用户参与市场化交易,切实做好规划内清洁电源的发电保障工作。

  6月15日,东芝存储器公司NAND Flash工厂于当地时间6月15日下午6点25分发生断电事故,大....

  LE2416RLBXA EEPROM存储器,2线RLBXA是一个2线串行接口EEPROM。它结合了我们公司的高性能CMOS EEPROM技术,实现了高速和高可靠性。该设备与I C内存协议兼容;因此,它最适合需要小规模可重写非易失性参数存储器的应用。 单电源电压:1.7V至3.6V(读取) 擦除/写入周期: 10 循环(页面写入) 容量:16k位(2k x 8位) 工作温度:-40到+ 85°C 接口:双线串行接口(I C总线kHz 低功耗: 待机:2μA(最大) 有效(读取):0.5mA(最大) 自动页面写入模式:16字节 读取模式:顺序读取和随机读取 数据保留期:20年 上拉电阻:WP引脚上带有内置上拉电阻的5kΩ(典型值) 高可靠性...

  TLC5958 具有 48k 位存储器的 48 通道、16 位 PWM LED 驱动器

  信息描述TLC5958 是一款 48 通道恒流灌电流驱动器,适用于占空比为 1 至 32 的多路复用系统。 每个通道都具有单独可调的 65536 步长脉宽调制 (PWM) 灰度 (GS)。采用 48K 位显示存储器以提升视觉刷新率,同时降低 GS 数据写入频率。输出通道分为三组,每组含 16 个通道。 各组都具有 512 步长颜色亮度控制 (CC) 功能。 全部 48 通道的最大电流值可通过 8 步长全局亮度控制 (BC) 功能设置。 CC 和 BC 可用于调节 LED 驱动器之间的亮度偏差。 可通过一个串行接口端口访问 GS、CC 和 BC 数据。如需应用手册:,请通过电子邮件发送请求。TLC5958 有一个错误标志:LED 开路检测 (LOD),可通过串行接口端口读取。 TLC5958 还具有节电模式,可在全部输出关闭后将总流耗设为 0.8mA(典型值)。特性 48 通道恒流灌电流输出具有最大亮度控制 (BC)/最大颜色亮度控制 (CC) 数据的灌电流: 5VCC 时为 25mA 3.3VCC 时为 20mA 全局亮度控制 (BC):3 位(8 步长) 每个颜色组的颜色亮度控制 (CC):9 位(512 步长),三组使用多路复用增强型光谱 (ES) PWM 进行灰度 (GS) 控制:16 位 支持 32 路多路复用的 48K 位灰度数据...

  TPS59116 全套 DDR、DDR2 和 DDR3 存储器功率解决方案、用于嵌入式计算的同步降压控制器

  信息描述 The TPS59116 provides a complete power supply for DDR/SSTL-2, DDR2/SSTL-18, and DDR3 memory systems. It integrates a synchronous buck controller with a 3-A sink/source tracking linear regulator and buffered low noise reference. The TPS59116 offers the lowest total solution cost in systems where space is at a premium. The TPS59116 synchronous controller runs fixed 400-kHz pseudo-constant frequency PWM with an adaptive on-time control that can be configured in D-CAP™ Mode for ease of use and fastest transient response or in current mode to support ceramic output capacitors. The 3-A sink/source LDO maintains fast transient response only requiring 20-µF (2 × 10 µF) of ceramic output capacitance. In addition, the LDO supply input is available externally to significantly reduce the total power losses. The TPS59116 supports all of the sleep state controls placing VTT at high-Z in S3 (suspend to RAM) and dischargin...

  TPS53317A 用于 DDR 存储器终端的 6A 输出 D-CAP+ 模式同步降压集成 FET 转换器

  信息描述 TPS53317A 器件是一款设计为主要用于 DDR 终端的集成场效应晶体管 (FET) 同步降压稳压器。 它能够提供一个值为 ½ VDDQ的经稳压输出,此输出具有吸收电流和源电流功能。TPS53317A 器件采用 D-CAP+ 运行模式,简单易用,所需外部组件数较少并可提供快速瞬态响应。 该器件还可用于其他电流要求高达 6A 的负载点 (POL) 稳压应用。此外,该器件支持具有严格电压调节功能的 6A 完整灌电流输出。该器件具有两种开关频率设定值(600kHz 和 1MHz),可提供集成压降支持、外部跟踪功能、预偏置启动、输出软放电、集成自举开关、电源正常功能、V5IN 引脚欠压锁定 (UVLO) 保护功能,支持采用陶瓷和 SP/POSCAP 电容。 该器件支持的输入电压最高可达 6V,而输出电压在 0.45V 至 2.0V 范围内可调。TPS53317A 器件采用 3.5mm × 4mm 20 引脚超薄四方扁平无引线 (VQFN) 封装(绿色环保,符合 RoHS 标准并且无铅),其中应用了 TI 专有的集成 MOSFET 和封装技术,其额定运行温度范围为 –40°C 至 85°C。特性 采用 TI 专有的集成金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 和封装技术支持 DDR 内存...

  TPS51716 完整 DDR2、DDR3 和 DDR3L 存储器功率解决方案同步降压

  信息描述 TPS51716 用最少总体成本和最小空间提供一个针对 DDR2,DDR3,DDR3L 和 LPDDR3 内存系统的完整电源。 它集成了同步降压稳压器控制器 (VDDQ),此控制器具有 2A 灌电流/拉电流跟踪 LDO (VTT) 和经缓冲的低噪声基准 (VTTREF)。 TPS51716 采用与 500kHz 或 670kHz 工作频率相耦合的 D-CAP2™ 模式,此模式在无需外部补偿电路的情况下可支持陶瓷输出电容器。 VTTREF 跟踪 VDDQ/2 的精度高达 0.8%。 能够提供 2A 灌电流/拉电流峰值电流功能的 VTT 只需 10μF 的陶瓷电容器。 此外,此器件特有一个专用的 LDO 电源输入。TPS51716 提供丰富、实用的功能以及出色的电源性能。 它支持灵活功率级控制,将 VTT 置于 S3 中的高阻抗状态并在 S4/S5 状态中将 VDDQ,VTT 和 VTTREF 放电(软关闭)。 它包括具有低侧 MOSFET RDS(接通)感测的可编程 OCL,OVP/UVP/UVLO 和热关断保护。TPS51716 从 TI 出厂时采用 20引脚,3mm x 3mm QFN 封装并且其额定环境温度范围介于 -40°C 至 85°C 之间。特性 同步降压控制器 (VDDQ)转换电压范围:3V 至 28V输出...

  TPS51216 DDR2/3/3L/4 存储器电源解决方案同步降压控制器,2A LDO,缓冲参考

  信息描述 The TPS51216 provides a complete power supply for DDR2, DDR3 and DDR3L memory systems in the lowest total cost and minimum space. It integrates a synchronous buck regulator controller (VDDQ) with a 2-A sink/source tracking LDO (VTT) and buffered low noise reference (VTTREF). The TPS51216 employs D-CAP™ mode coupled with 300 kHz/400 kHz frequencies for ease-of-use and fast transient response. The VTTREF tracks VDDQ/2 within excellent 0.8% accuracy. The VTT, which provides 2-A sink/source peak current capabilities, requires only 10-μF of ceramic capacitance. In addition, adedicated LDO supply input is available.The TPS51216 provides rich useful functions as well as excellent power supply performance. It supports flexible power state control, placing VTT at high-Z in S3 and discharging VDDQ, VTT and VTTREF (soft-off) in S4/S5 state. Programmable OCL with low-side MOSFET RDS(...

  AD5175 单通道、1024位数字变阻器,配有I²C接口和50-TP存储器

  信息优势和特点 单通道、1024位分辨率 标称电阻:10 kΩ 50次可编程(50-TP)游标存储器 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 单电源供电:2.7 V至5.5 V 双电源供电:±2.5 V至±2.75 V(交流或双极性工作模式) I2C兼容型接口 游标设置和存储器回读 上电时从存储器刷新 电阻容差存储在存储器中 薄型LFCSP、10引脚、3 mm x 3 mm x 0.8 mm封装 紧凑型MSOP、10引脚、3 mm × 4.9 mm × 1.1 mm封装产品详情AD5175是一款单通道1024位数字变阻器,集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。该器件既可以采用±2.5 V至±2.75 V的双电源供电,也可以采用2.7 V至5.5 V的单电源供电,并提供50次可编程(50-TP)存储器。AD5175的游标设置可通过I²C兼容型数字接口控制。将电阻值编程写入50-TP存储器之前,可进行无限次调整。AD5175不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供50次永久编程的机会。在50-TP激活期间,一个永久熔断熔丝指令会将电阻位置固定(类似于将环氧树脂涂在机械式调整器上)。AD5175提供3 mm × 3 mm 10引脚LFCSP和10引脚MSOP两种封装。保证工作温度范围为−40°C至+125°C扩展...

  AD5174 单通道、1024位数字变阻器,配有SPI接口和50-TP存储器

  信息优势和特点 单通道、1024位分辨率 标称电阻:10 kΩ 50次可编程(50-TP)游标存储器 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 单电源供电:2.7 V至5.5 V 双电源供电:±2.5 V至±2.75 V(交流或双极性工作模式) SPI兼容型接口 游标设置和存储器回读 上电时从存储器刷新 电阻容差存储在存储器中 薄型LFCSP、10引脚、3 mm x 3 mm x 0.8 mm封装 紧凑型MSOP、10引脚、3 mm × 4.9 mm × 1.1 mm封装产品详情AD5174是一款单通道1024位数字变阻器,集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。 该器件既可以采用±2.5 V至±2.75 V的双电源供电,也可以采用2.7 V至5.5 V的单电源供电,并提供50次可编程(50-TP)存储器。AD5174的游标设置可通过SPI数字接口控制。将电阻值编程写入50-TP存储器之前,可进行无限次调整。AD5174不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供50次永久编程的机会。在50-TP激活期间,一个永久熔断熔丝指令会将电阻位置固定(类似于将环氧树脂涂在机械式调整器上)。AD5174提供3 mm × 3 mm 10引脚LFCSP和10引脚MSOP两种封装。保证工作温度范围为−40°C至+125°C扩展工业...

  AD5292 单通道、1%端到端电阻容差(R-TOL)、1024位数字电位计,具有20次可编程存储器

  信息优势和特点 单通道、256/1024位分辨率 标称电阻:20 kΩ、50 kΩ和100 kΩ 标称电阻容差误差(电阻性能模式):±1%(最大值) 20次可编程游标存储器 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 分压器温度系数:5 ppm/°C +9V至+33V单电源供电 ±9V至±16.5V双电源供电 欲了解更多特性,请参考数据手册 下载AD5292-EP (Rev 0)数据手册(pdf) 温度范围:−55°C至+125°C 受控制造基线 唯一封装/测试厂 唯一制造厂 增强型产品变更通知 认证数据可应要求提供 V62/12616 DSCC图纸号产品详情AD5292是一款单通道1024位数字电位计1,集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。这些器件能够在宽电压范围内工作,支持±10.5 V至±16.5 V的双电源供电和+21 V至+33 V的单电源供电,同时确保端到端电阻容差误差小于1%,并具有20次可编程(20-TP)存储器。业界领先的保证低电阻容差误差特性可以简化开环应用,以及精密校准与容差匹配应用。AD5291和AD5292的游标设置可通过SPI数字接口控制。将电阻值编程写入20-TP存储器之前,可进行无限次调整。这些器件不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供20次永久编程的机...

  AD5291 单通道、1%端到端电阻容差(R-Tol)、256位数字电位计,具有20次可编程存储器

  信息优势和特点 单通道、256/1024位分辨率 标称电阻:20 kΩ, 50 kΩ和 100 kΩ 校准的标称电阻容差:±1%(电阻性能模式) 20次可编程 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 温度系数(分压器模式):5 ppm/°C +9 V 至 +33 V 单电源供电 ±9 V至±16.5 V 双电源供电 欲了解更多特性,请参考数据手册 产品详情AD5291/AD5292属于ADI公司的digiPOT+™ 电位计系列,分别是单通道256/1024位数字电位计1 ,集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。这些器件的工作电压范围很宽,既可以采用±10.5 V至±16.5 V双电源供电,也可以采用+21 V至+33 V单电源供电,同时端到端电阻容差误差小于1%,并提供20次可编程(20-TP)存储器。业界领先的保证低电阻容差误差特性可以简化开环应用,以及精密校准与容差匹配应用。AD5291/AD5292的游标设置可通过SPI数字接口控制。将电阻值编程写入20-TP存储器之前,可进行无限次调整。这些器件不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供20次永久编程的机会。在20-TP激活期间,一个永久熔断熔丝指令会将游标位置固定(类似于将环氧树脂涂在机械式调整器上)。AD5291/AD52...

  信息优势和特点 四通道、64位分辨率 1 kΩ, 10 kΩ, 50 kΩ, 100 kΩ 非易失性存储器1 存储游标设置,并具有写保护功能 上电恢复至EEMEM设置,刷新时间典型值为300 µs EEMEM重写时间:540 µs(典型值) 电阻容差存储在非易失性存储器中 EEMEM提供12个额外字节,可存储用户自定义信息 I2C兼容型串行接口 直接读写RDAC2 和EEMEM寄存器 预定义线性递增/递减命令 预定义±6 dB阶跃变化命令 欲了解更多信息,请参考数据手册产品详情AD5253/AD5254分别是64/256位、四通道、I2C®, 采用非易失性存储器的数字控制电位计,可实现与机械电位计、调整器和可变电阻相同的电子调整功能。AD5253/AD5254具有多功能编程能力,可以提供多种工作模式,包括读写RDAC和EEMEM寄存器、电阻的递增/递减、电阻以±6 dB的比例变化、游标设置回读,并额外提供EEMEM用于存储用户自定义信息,如其它器件的存储器数据、查找表或系统识别信息等。主控I2C控制器可以将任何64/256步游标设置写入RDAC寄存器,并将其存储在EEMEM中。存储设置之后,系统上电时这些设置将自动恢复至RDAC寄存器;也可以动态恢复这些设置。在同步或异步通...

  AD5254 四通道、256位、 I2C 、非易失性存储器、数字电位计

  信息优势和特点 四通道、256位分辨率 1 kΩ, 10 kΩ, 50 kΩ, 100 kΩ 非易失性存储器1存储游标设置,并具有写保护功能 上电恢复为EEMEM设置,刷新时间典型值为300 µs EEMEM重写时间:540 µs(典型值) 电阻容差存储在非易失性存储器中 EEMEM提供12个额外字节,可存储用户自定义信息 I2C兼容型串行接口 直接读/写RDAC2 和EEMEM寄存器 预定义线性递增/递减命令 预定义±6 dB阶跃变化命令 欲了解更多特性,请参考数据手册产品详情AD5253/AD5254分别是64/256位、四通道、I2C®, 采用非易失性存储器的数字控制电位计,可实现与机械电位计、调整器和可变电阻相同的电子调整功能。AD5253/AD5254具有多功能编程能力,可以提供多种工作模式,包括读写RDAC和EEMEM寄存器、电阻的递增/递减、电阻以±6 dB的比例变化、游标设置回读,并额外提供EEMEM用于存储用户自定义信息,如其它器件的存储器数据、查找表或系统识别信息等。主控I2C控制器可以将任何64/256步游标设置写入RDAC寄存器,并将其存储在EEMEM中。存储设置之后,系统上电时这些设置将自动恢复至RDAC寄存器;也可以动态恢复这些设置。在同步或异步通...

  信息优势和特点 非易失性存储器可保存游标设置 电阻容差存储在非易失性存储器中 1 k Ω, 10 k Ω, 50 k Ω 100 k Ω I2C 兼容型串行接口 游标设置回读功能 线性递增/递减预定义指令 ±6 dB对数阶梯式递增/递减预定义指令 单电源:2.7 V至5.5 V 逻辑操作电压:3 V至5 V 上电复位至EEMEM设置,刷新时间小于1 ms 非易失性存储器写保护 数据保留期限:100年(典型值, TA = 55°C )产品详情AD5252是一款双通道、数字控制可变电阻(VR),具有256位分辨率。它可实现与电位计或可变电阻相同的电子调整功能。该器件通过微控制器实现多功能编程,可以提供多种工作与调整模式。在直接编程模式下,可以从微控制器直接加载RDAC寄存器的预设置。在另一种主要工作模式下,可以用以前存储在EEMEM寄存器中的设置更新RDAC寄存器。当更改RDAC寄存器以确立新的游标位时,可以通过执行EEMEM保存操作,将该设置值保存在EEMEM中。一旦将设置保存在EEMEM寄存器之后,这些值就可以自动传输至RDAC寄存器,以便在系统上电时设置游标位。这种操作由内部预设选通脉冲使能;也可以从外部访问预设值。基本调整模式就是在游标位设置(RDAC)寄...

  信息优势和特点 非易失性存储器保存游标设置 电阻容差存储在非易失性存储器中 1 k Ω, 10 k Ω, 50 k Ω 100 k Ω I2C 兼容型串行接口 游标设置回读功能 线性递增/递减预定义指令 ±6 dB对数阶梯式递增/递减预定义指令 单电源:2.7 V至5.5 V 逻辑操作电压:3 V至5 V 上电复位至EEMEM设置,刷新时间小于1 ms 非易失性存储器写保护 数据保持能力:100年(典型值,TA = 55°C )产品详情AD5251是一款双通道、数字控制可变电阻(VR),具有64位分辨率。它可实现与电位计或可变电阻相同的电子调整功能。该器件通过微控制器实现多功能编程,可以提供多种工作与调整模式。在直接编程模式下,可以从微控制器直接加载RDAC寄存器的预设置。在另一种主要工作模式下,可以用以前存储在EEMEM寄存器中的设置更新RDAC寄存器。当更改RDAC寄存器以确立新的游标位时,可以通过执行EEMEM保存操作,将该设置值保存在EEMEM中。一旦将设置保存在EEMEM寄存器之后,这些值就可以自动传输至RDAC寄存器,以便在系统上电时设置游标位。这种操作由内部预设选通脉冲使能;也可以从外部访问预设值。基本调整模式就是在游标位设置(RDAC)寄存器...

  信息优势和特点 双通道、1024位分辨率 标称电阻:25 kΩ、250 kΩ 标称电阻容差误差:±8%(最大值) 低温度系数:35 ppm/°C 2.7 V至5 V单电源或±2.5 V双电源 SPI兼容型串行接口 非易失性存储器存储游标设置 加电刷新EEMEM设置 永久性存储器写保护 电阻容差储存于EEMEM中 26字节额外非易失性存储器,用于存储用户定义信息 1M编程周期 典型数据保留期:100年 下载AD5235-EP数据手册 (pdf) 温度范围:-40℃至+125°C 受控制造基线 一个装配/测试厂 一个制造厂 增强型产品变更通知 认证数据可应要求提供 V62/11605 DSCC图纸号产品详情AD5235是一款双通道非易失性存储器1、数控电位计2,拥有1024阶跃分辨率,保证最大低电阻容差误差为±8%。该器件可实现与机械电位计相同的电子调整功能,而且具有增强的分辨率、固态可靠性和出色的低温度系数性能。通过SPI®-兼容串行接口,AD5235具有灵活的编程能力,支持多达16种工作模式和调节模式,其中包括暂存编程、存储器存储和恢复、递增/递减、±6 dB/阶跃对数抽头调整和游标设置回读,同时提供额外的EEMEM1 ,用于存储用户定义信息,如其他元件的存储器数据、查找表、系统标识信息等。...

  信息优势和特点 1024位分辨率 非易失性存储器保存游标设置 上电时利用EEMEM设置刷新 EEMEM恢复时间:140 µs(典型值) 完全单调性工作 端接电阻:10 kΩ、50 kΩ、100 kΩ 永久存储器写保护 游标设置回读功能 预定义线性递增/递减指令 预定义±6 dB/步对数阶梯式递增/递减指令 SPI®兼容型串行接口 3 V至5 V单电源或±2.5 V双电源供电产品详情AD5231是一款采用非易失性存储器*的数字控制电位计**,提供1024阶分辨率。它可实现与机械电位计相同的电子调整功能,而且具有增强的分辨率、固态可靠性和遥控能力。该器件功能丰富,可通过一个标准三线式串行接口进行编程,具有16种工作与调整模式,包括便笺式编程、存储器存储与恢复、递增/递减、±6 dB/步对数阶梯式调整、游标设置回读,并额外提供EEMEM用于存储用户自定义信息,如其它器件的存储器数据、查找表或系统识别信息等。在便笺式编程模式下,可以将特定设置直接写入RDAC寄存器,以设置端子W–A与端子W–B之间的电阻。此设置可以存储在EEMEM中,并在系统上电时自动传输至RDAC寄存器。EEMEM内容可以动态恢复,或者通过外部PR选通脉冲予以恢复;WP功能则可保护EE...

  CAT25128 128-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

  信息 CAT25128是一个128 kb串行CMOS EEPROM器件,内部组织为16kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()输入启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25128设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。片上ECC(纠错码)使该器件适用于高可靠性应用。适用于新产品(Rev. E) ) 20 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V操作 硬件和软件保护 低功耗CMOS技术 SPI模式(0,0和1,1) 工业和扩展温度范围 自定时写周期 64字节页写缓冲区 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或全部EEPROM阵列 1,000,000编程/擦除周期 100年数据保留

  8引脚PDIP,SOIC,TSSOP和8焊盘TDFN,UDFN封装 此器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准 具有永久写保护的附加标识页...

  CAT25256 256-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

  信息 CAT25256是一个256 kb串行CMOS EEPROM器件,内部组织为32kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()输入启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。输入可用于暂停与CAT25256设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。片上ECC(纠错码)使该器件适用于高可靠性应用。适用于新产品(Rev. E) ) 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0)和(1,1) ) 64字节页面写缓冲区 具有永久写保护的附加标识页(新产品) 自定时写周期 硬件和软件保护 100年数据保留 1,000,000编程/擦除周期 低功耗CMOS技术 块写保护

  - 保护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 工业和扩展温度范围 8引脚PDIP,SOIC,TSSOP和8焊盘UDFN和TDFN封装 此器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准...

  信息 CAT25040是一个4-kb SPI串行CMOS EEPROM器件,内部组织为512x8位。安森美半导体先进的CMOS技术大大降低了器件的功耗要求。它具有16字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25040设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0和1,1) 16字节页面写入缓冲区 自定时写入周期 硬件和软件保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000编程/擦除周期 100年数据保留 工业和扩展温度范围 PDIP,SOIC,TSSOP 8引脚和TDFN,UDFN 8焊盘封装 这些器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准...

  信息 CAT25080 / 25160是8-kb / 16-kb串行CMOS EEPROM器件,内部组织为1024x8 / 2048x8位。它们具有32字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()输入启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25080 / 25160设备的任何串行通信。这些器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 10 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0和1,1) 32字节页写缓冲区 自定时写周期 硬件和软件保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或全部EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000个编程/擦除周期 100年数据保留 工业和扩展温度范围 符合RoHS标准的8引脚PDIP,SOIC,TSSOP和8焊盘TDFN,UDFN封装...

      开心彩票,开心彩票注册

返回



工业加湿器变频电源      Copyright © 2002-2011 开心彩票注册送50元 版权所有 Power by DedeCms橡胶球光伏逆变器网站地图